深紫外光傳輸用光纖（DUV）
目前固體激光器和氣體激光器研究的課題之一就是深紫外光領域（250nm）的激光器振蕩技術。在固體激光器領域，采用CLBO(CsLiB6O10)結晶的Nd:YAG激光器的四倍波(=266nm)、五倍波(=213nm)；在氣體激光器領域，F2(=157nm)，KY2(=148nm)，Ar2 （=126nm），而采用ArF的環氧樹脂激光器的振高波長=193nm等。
在半導體基片表面處理，在生物化學領域中對DNA的分析測試和化驗、在醫療領域內對近視治療等應用領域中，深紫外光都得到了極其廣泛的應用。對能傳輸深紫外光的光纖開發工作也成為人所關注的重大技術課題。
從DUV光纖的損耗光譜化可以看出，在波長為=200nm時，傳輸損耗發生急聚變化，而在1240和1380nm處出現二個峰值，我們認為這是由OH的伸縮振動引起的吸收造成的。
相同的預制棒在拉絲過程中因拉絲條件不同，損耗光譜值也不同，DUV拉制過程中（當<220nm）拉絲速度為0.5m/分，爐溫為1780℃時，光纖損耗值最小，光使用波長為193nmArF激光源時，最小透過率約為60%/m。光纖的損耗是隨拉絲速度加快，爐溫升高而增加，在220nm波長處產生吸收增加，這種增加值是由E"中心引起的，屬拉絲工藝缺欠造在的。
