我們都知道，在INTEL平臺(tái)，北橋負(fù)責(zé)與CPU的聯(lián)系，并控制內(nèi)存、AGP、PCI數(shù)據(jù)在北橋內(nèi)部傳輸。基本上只要主板芯片組確定，那么其支持的內(nèi)存類(lèi)型也就確定了。在介紹主板的時(shí)候，我們已經(jīng)說(shuō)過(guò)，INTEL芯片組劃分的很清楚，865PE屬于工作站級(jí)別芯片組，不支持ECC內(nèi)存，只能使用普通內(nèi)存，875P芯片組屬于低端服務(wù)器/工作站級(jí)別，支持ECC內(nèi)存和普通非ECC內(nèi)存，而E7525屬于高端服務(wù)器，為了保證其穩(wěn)定性，必須采用ECC REG內(nèi)存，使用其他內(nèi)存無(wú)法點(diǎn)亮。在AMD方面，K8 CPU集成了內(nèi)存控制器，CPU與內(nèi)存直接交換數(shù)據(jù)，不通過(guò)北橋。939針的ALTHON 64系列不支持ECC，所以只能用普通內(nèi)存，939針的OPTERON支持ECC內(nèi)存和普通非ECC內(nèi)存，940針的OPTERON系列只能使用ECC REG內(nèi)存，插入普通內(nèi)存無(wú)法點(diǎn)亮。
普通內(nèi)存 ECC內(nèi)存 REG ECC內(nèi)存有什么不同?
普通內(nèi)存大家經(jīng)常接觸，DDR400的內(nèi)存現(xiàn)在遍地都是，很多高檔內(nèi)存甚至可以運(yùn)行DDR600/DDR2 800，而有些內(nèi)存也可以達(dá)到2-2-2-5這樣低的延遲，因?yàn)榇蠹医佑|的比較多，這里就暫不作介紹了。 反觀ECC和REG ECC內(nèi)存不追求高頻率和低延遲，INTLE平臺(tái)內(nèi)存運(yùn)行頻率一般在DDR333或者是DDR2 400，，AMD平臺(tái)內(nèi)存運(yùn)行頻率在DDR400，延時(shí)也多在4-4-4-8左右，從性能上看絲毫不占優(yōu)勢(shì)，但是穩(wěn)定才是其立足的根本。圖為DDR2 ECC內(nèi)存。這里我們常說(shuō)的ECC內(nèi)存就是單指的 Unbuffer ECC，其價(jià)格和普通內(nèi)存相比只貴10%-20%，從外觀來(lái)說(shuō)，Unbuffer ECC內(nèi)存因?yàn)橐獫M(mǎn)足效驗(yàn)糾錯(cuò)的需要，加入了一顆ECC效驗(yàn)顆粒，由于采用的是TOSP封裝，使得內(nèi)存看上去每面有9顆內(nèi)存顆粒。
圖為DDR2 ECC內(nèi)存
而REG ECC的價(jià)格就貴了許多，內(nèi)存上面的芯片一般比普通主板多出2-3個(gè)，主要是PLL (Phase Locked Loop)和Register IC，它們的具體用處如下 PLL(Phase Locked Loop) 瑣相環(huán)集成電路芯片，內(nèi)存條底部較小IC，比Register IC小，一般只有一個(gè)，起到調(diào)整時(shí)鐘信號(hào)，保證內(nèi)存條之間的信號(hào)同步的作用。Register IC內(nèi)存條底部較小的集成電路芯片(2-3片),起提高驅(qū)動(dòng)能力的作用。服務(wù)器產(chǎn)品需要支持大容量的內(nèi)存，單靠主板無(wú)法驅(qū)動(dòng)如此大容量的內(nèi)存，而使用帶Register的內(nèi)存條，通過(guò)Register IC提高驅(qū)動(dòng)能力，使服務(wù)器可支持高達(dá)32GB的內(nèi)存。
圖為DDR2 400 ECC REG 1 SPD芯片 2 PLL芯片 3 Register IC芯片 4 內(nèi)存顆粒
因?yàn)橛辛薖LL和 Register芯片的支持，服務(wù)器內(nèi)存可以做的很大，更好的滿(mǎn)足日益龐大的軟件對(duì)內(nèi)存無(wú)止境的要求。
圖為日本上市的單條4GB REG ECC內(nèi)存
另外看留言，有朋友提到目前很多高端服務(wù)器都是多通道，在我們DIY服務(wù)器的范疇內(nèi)，這種多通道服務(wù)器很少遇到，在此不重點(diǎn)介紹。
ECC 原理 以及Registers功能
服務(wù)器一般要求24小時(shí)×365天不間斷運(yùn)行，而且不允許中途故障頻出或者頻繁重啟，對(duì)可靠性和穩(wěn)定性?xún)身?xiàng)指標(biāo)要求極為苛刻。相比較而言，PC機(jī)對(duì)可靠性和穩(wěn)定性的要求就相對(duì)簡(jiǎn)單了許多——系統(tǒng)崩潰重啟即可，每天開(kāi)機(jī)時(shí)間多數(shù)不超過(guò)10小時(shí)。截然不同的應(yīng)用決定了二者對(duì)內(nèi)存功能要求的差異性。
為什么擁有ECC技術(shù)的服務(wù)器可以做到7X24或者365X24不死機(jī)重起呢，我們要先從最原始的奇偶校驗(yàn)說(shuō)起。在計(jì)算機(jī)內(nèi)，所有的信息都是以簡(jiǎn)單的“0”與“1”表示；不過(guò)當(dāng)數(shù)據(jù)在電子元件間進(jìn)行傳遞時(shí)，是有可能發(fā)生數(shù)據(jù)“誤傳”的情形，也就是說(shuō)原來(lái)該是0的比特?cái)?shù)據(jù)，卻被誤植為1的比特?cái)?shù)據(jù)，而產(chǎn)生錯(cuò)誤。其可能發(fā)生的原因相當(dāng)多，包括電子噪聲、元件硬件上的問(wèn)題，或是傳輸接口不穩(wěn)等，都可能數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，隨之而來(lái)的時(shí)服務(wù)器重起，數(shù)據(jù)丟失，WINDOWS崩潰等一系列嚴(yán)重的后果，正如混沌學(xué)中的蝴蝶效益，極小的起因引發(fā)巨大的后果。也正因?yàn)槿绱耍诖鎯?chǔ)器中便發(fā)展出ECC（Error-Correcting Code）與Parity Check等的檢錯(cuò)方式，希望能降低數(shù)據(jù)傳輸?shù)腻e(cuò)誤，使服務(wù)器能夠長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作。
比特(bit)是內(nèi)存中的最小單位，也稱(chēng)“位”、它只有兩個(gè)狀態(tài)分別以1和0表示。我們將8個(gè)連續(xù)的比特叫做一個(gè)字節(jié)(byte)。非奇偶校驗(yàn)內(nèi)存的每個(gè)字節(jié)只有8位，若它的某一位存儲(chǔ)了錯(cuò)誤的值，就會(huì)使其中存儲(chǔ)的相應(yīng)數(shù)據(jù)發(fā)生改變而導(dǎo)致應(yīng)用程序發(fā)生錯(cuò)誤。而奇偶校驗(yàn)內(nèi)存在每一字節(jié)(8位)外又額外增加了一位作為錯(cuò)誤檢測(cè)之用。比如一個(gè)字節(jié)中存儲(chǔ)了某一數(shù)值(1、0、0、1、1、1、1、0)，把這每一位相加起來(lái)(1+0+0+1+1+1+1+0=5)。若其結(jié)果是奇數(shù)，校驗(yàn)位就定義為1，反之則為0。當(dāng)CPU返回讀取儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)時(shí)，它會(huì)再次相加前8位中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，計(jì)算結(jié)果是否與校驗(yàn)位相一致。當(dāng)CPU發(fā)現(xiàn)二者不同時(shí)就作出一定的反應(yīng)。但Parity有個(gè)缺點(diǎn)，當(dāng)內(nèi)存查到某個(gè)數(shù)據(jù)位有錯(cuò)誤時(shí)，卻并不一定能確定在哪一個(gè)位，也就不一定能修正錯(cuò)誤，只能讓數(shù)據(jù)源重新發(fā)送一次信號(hào)，再次校驗(yàn)。所以帶有奇偶校驗(yàn)的內(nèi)存的主要功能僅僅是“發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤”，并能糾正部分簡(jiǎn)單的錯(cuò)誤。
通過(guò)上面的分析我們知道Parity內(nèi)存是通過(guò)在原來(lái)數(shù)據(jù)位的基礎(chǔ)上增加一個(gè)數(shù)據(jù)位來(lái)檢查當(dāng)前8位數(shù)據(jù)的正確性，但隨著數(shù)據(jù)位的增加Parity用來(lái)檢驗(yàn)的數(shù)據(jù)位也成倍增加，就是說(shuō)當(dāng)數(shù)據(jù)位為16位時(shí)它需要增加2位用于檢查，當(dāng)數(shù)據(jù)位為32位時(shí)則需增加4位，依此類(lèi)推。特別是當(dāng)數(shù)據(jù)量非常大時(shí)，數(shù)據(jù)出錯(cuò)的幾率也就越大，對(duì)于只能糾正簡(jiǎn)單錯(cuò)誤的奇偶檢驗(yàn)的方法就顯得力不從心了，正是基于這樣一種情況，一種新的內(nèi)存技術(shù)應(yīng)允而生了，這就是ECC（錯(cuò)誤檢查和糾正）.
ECC(Error Checking and Correcting)內(nèi)存，它也是在原來(lái)的數(shù)據(jù)位上外加位來(lái)實(shí)現(xiàn)的。不同的是兩者增加的方法不一樣，這也就導(dǎo)致了兩者的主要功能不太一樣。它與Parity不同的是如果數(shù)據(jù)位是8位，則需要增加5位來(lái)進(jìn)行ECC錯(cuò)誤檢查和糾正，數(shù)據(jù)位每增加一倍，ECC只增加一位檢驗(yàn)位，也就是說(shuō)當(dāng)數(shù)據(jù)位為16位時(shí)ECC位為6位，32位時(shí)ECC位為7位，數(shù)據(jù)位為64位時(shí)ECC位為8位，依此類(lèi)推，數(shù)據(jù)位每增加一倍，ECC位只增加一位。總之，在內(nèi)存中ECC能夠容許錯(cuò)誤，并可以將錯(cuò)誤更正，使系統(tǒng)得以持續(xù)正常的操作，不致因錯(cuò)誤而中斷，且ECC具有自動(dòng)更正的能力，可以將Parity無(wú)法檢查出來(lái)的錯(cuò)誤位查出并將錯(cuò)誤修正。當(dāng)然在糾錯(cuò)時(shí)系統(tǒng)的性能有著明顯降低，不過(guò)這種糾錯(cuò)對(duì)服務(wù)器等應(yīng)用而言是十分重要的。 #p#分頁(yè)標(biāo)題#e#
Registers通常與ECC概念被一并提起，不少人認(rèn)為二者都是純粹的錯(cuò)誤校驗(yàn)，甚至將這兩個(gè)概念混淆起來(lái)。其實(shí)，Registers的概念與ECC大不相同，它指的是信號(hào)的重新驅(qū)動(dòng)（re-driving）過(guò)程。
在很多時(shí)候，內(nèi)存中保留的數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)多次刷新之后仍然可能出現(xiàn)代表二進(jìn)制數(shù)據(jù)的電平信號(hào)發(fā)生偏差的情況。Registers所起到的其實(shí)是一個(gè)事前預(yù)防的作用。擁有Registers功能的內(nèi)存模組，可以通過(guò)重新驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)來(lái)改善內(nèi)存的運(yùn)作，提高電平信號(hào)的準(zhǔn)確性，從而有助于保持系統(tǒng)長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)作。不過(guò)，由于Registers的信號(hào)重驅(qū)動(dòng)需花費(fèi)一個(gè)時(shí)鐘周期，延遲時(shí)間有所增加，因此具有該功能內(nèi)存的讀寫(xiě)性能會(huì)稍低于普通內(nèi)存，相當(dāng)于以性能換取穩(wěn)定性。
綜合以上兩點(diǎn)，就解釋了為什么服務(wù)器所用的內(nèi)存一般頻率較低，延遲較高。
主板芯片組對(duì)應(yīng)的內(nèi)存列表
市售內(nèi)存推薦
三星UCCC 1G
目前三星內(nèi)存采用了環(huán)保紙盒包裝。采用雙面16內(nèi)存顆粒規(guī)格設(shè)計(jì)，整體來(lái)看做工嚴(yán)謹(jǐn)扎實(shí)，布線(xiàn)設(shè)計(jì)大量采用了蛇形布線(xiàn)和145°邊角處理。短引線(xiàn)設(shè)計(jì)進(jìn)一步降低了信號(hào)延遲，有助提升內(nèi)存條的整體性能。PCB幅面干凈整潔，毫無(wú)凌亂之感。表面采用大量貼片電容和8PIN電阻排，顆粒裝貼整齊，焊點(diǎn)均勻飽滿(mǎn)，頂端“VERF”去耦電容和旁路校驗(yàn)電容也無(wú)省檢。更重要的是，對(duì)于服務(wù)器來(lái)說(shuō)，內(nèi)存當(dāng)然是越大越好了，UCCC 1G單條7xx元的價(jià)格，很適合在中低端服務(wù)器中使用。
英飛凌 DDR400 REG ECC
英飛凌的前身就是西門(mén)子半導(dǎo)體公司，德國(guó)人的嚴(yán)謹(jǐn)在其產(chǎn)品中也表現(xiàn)得淋漓盡致，此款內(nèi)存英飛凌采用的是自己的內(nèi)存顆粒，6層PCB基板，大量的高品質(zhì)阻容元件是內(nèi)存能夠在高頻下穩(wěn)定運(yùn)行的重要保障。除此以外，采用的化學(xué)沉金工藝制作的金手指的厚度也嚴(yán)格按照規(guī)范制造。較厚的金層可以經(jīng)受玩家的多次插拔而不易磨損，并且可以提高觸點(diǎn)的抗氧化能力，使用壽命更長(zhǎng)。由于渠道的原因，國(guó)內(nèi)英飛凌內(nèi)存并不是很普及，但是在國(guó)外很多品牌服務(wù)器中，英飛凌內(nèi)存則被廣泛使用，例如HP IBM等國(guó)際知名公司。
金士頓DDR2 REG ECC
DDR 2的工作頻率最低是400 MHz（PC2 3200），目前市面上的大多為DDR2 533（PC2 4300），DDR 2的工作電壓為1.8-1.9V，功耗比使用2.6V的DDR1降低了不少，其它優(yōu)點(diǎn)還包括：ODT（On Die Termination）內(nèi)建的終結(jié)電阻器--主要是增強(qiáng)內(nèi)存抗干擾性，提高電氣性能；OCD（Off Chip Driver）：離線(xiàn)（Off Chip）驅(qū)動(dòng)校準(zhǔn)--提高內(nèi)存驅(qū)動(dòng)性能；Posted CAS--降低數(shù)據(jù)沖突，提高資源利用率，獲取更大帶寬。目前最新的INTEL高端芯片組芯片組只能使用此種類(lèi)型的內(nèi)存。金士頓在服務(wù)器內(nèi)存領(lǐng)域也算是老品牌了，品質(zhì)無(wú)需置疑，終身質(zhì)保的售后讓人沒(méi)有后顧之憂(yōu)。
