網(wǎng)絡硬件
1. 112 Gbps SERDES的推出
隨著搭載56Gbps SERDES技術的芯片正式發(fā)貨，廠商們開始快速投入下一代速率的研發(fā)，這一切的背后推手都源于云業(yè)務的快速增長。預計兩年后云廠商開始需求25.6Tbps甚至51.2Tbps芯片，此時112Gbps的SERDES就成為必須。2019年我們預計將會看到一批112Gbit/s SERDES產(chǎn)品的推出，目前設計與系統(tǒng)整合工作正在穩(wěn)步推進。
112G多速率PAM-4 SerDes測試芯片和演示板
112G多速率PAM-4 SerDes測試芯片和演示板
2. 下一代400G產(chǎn)品發(fā)布并推動DCI市場
第二代400Gbps以太網(wǎng)交換機和路由器產(chǎn)品將進入Demo階段。第一代400G產(chǎn)品需求主要來自于兩個云客戶，使用場景主要在數(shù)據(jù)中心內(nèi)小于2km的場景。因此第二代產(chǎn)品規(guī)劃將線路距離提升至100km，預計將獲得更廣泛的應用。2019年將看到更多的系統(tǒng)和光模塊會支持更遠的距離，從而幫助云供應商使用數(shù)據(jù)內(nèi)部常見的以太網(wǎng)技術來連接不同的數(shù)據(jù)中心。
400G以太網(wǎng)交換設備
3. 7nm半導體制程將取代16nm并助力高密400Gbps以太網(wǎng)交換機
目前為止，市面上只有一款7nm的交換機芯片，其余大部分采用16nm技術。到2020年，當400G光模塊使用量提升價格降低后，可預見市場將快速向基于7nm技術的400Gbit/s芯片轉(zhuǎn)移。設備商將在2019年就開始展示基于7nm技術的產(chǎn)品。
TSMC 16nm技術快速過渡到7nm，10nm成為非主流
4. Chiplet(芯片模組)技術解耦以太網(wǎng)交換機芯片設計
Chiplet半導體架構(gòu)是指交換芯片內(nèi)核與SERDES部分獨立設計并最終合并封裝的技術，這項技術將在2019年的數(shù)據(jù)中心出現(xiàn)。當大部分芯片代工廠具備7nm的能力后，市場將通過這項技術來逐步接納板載光模塊和硅光技術。它的優(yōu)勢在于可以提升產(chǎn)品的敏捷性、降低成本和功耗并豐富產(chǎn)品的形態(tài)。
公有云規(guī)模的擴張推動網(wǎng)絡帶寬的飛速增長，網(wǎng)絡帶寬的增長保障了公有云規(guī)模的擴張。目前網(wǎng)絡交換領域在需求的推動下跨越式發(fā)展，2019年將會看到更多新技術的涌現(xiàn)，有理由相信2019年將是400G以太網(wǎng)應用的元年。
