內存制造商、初創公司Crossbar本周宣布已經開發出所謂的“非常高容量以及高性能的非易失性內存”，基于一種電阻RAM技術的新方法，能夠在單層200mm2的芯片上保存1TB數據！
Crossbar首席執行官George Minassian表示：“隨著我們對Crossbar陣列的開發，我們已經實現了證明我們RRAM技術易于制造和商業化就緒的主要技術里程碑。這對于非易失性存儲行業來說是一個分水嶺。”
是否真的如此還有待觀察，但是Crossbar RRAM技術的確要比紙面上來得好。Crossbar宣稱，由于該技術“簡單的三層結構，它可以堆棧成多個層，這樣在一張郵票大小的芯片上，就可以有多TB的存儲空間。”
性能也值得一提。與頂尖的NAND閃存相比，Crossbar宣稱他們的技術寫速度加快20倍，能耗降低20倍，耐用性提高10倍，而大小只是同類NAND的一半。
小芯片也能玩轉TB級數據 Crossbar公布RRAM非易失性閃存
Crossbar宣稱自己的技術相比NAND閃存有顯著的優勢
此外，Crossbar還表示，與NAND不同的是，自己的技術將很容易縮小到小于5納米的節點，可以保存數據長達20年，而且比NAND的異步讀速度更高。他們聲稱有425x XIP的改進，真的嗎？
當然，如果Crossbar RRAM制造成本太高而不具有合理價位的話，以上所有這些華麗的數據都是沒有意義的。Minassian和他的團隊表示，他們正在關注這個問題，并且正在開發一款Crossbar內存陣列，已經在商業晶圓廠開始生產——不過他們并沒有說這款展示的陣列采用何種工藝制程。
小芯片也能玩轉TB級數據 Crossbar公布RRAM非易失性閃存
下面是CMOS，上層是Crossbar RRAM
通過使用標準CMOS工藝技術，Crossbar稱這將能夠“容易地在微控制器和FPGA的其他邏輯組件上堆棧非易失性內存，在高級節點上高度集成SoC。”是的，他們的確計劃將他們的技術許可提供給SoC設計者。
Crossbar創建于2010年，總部在美國加州圣克拉拉，已經獲得了來自早期投資方Artiman、Kleiner Perkins Caufield & Byers以及Northern Light Venture Capital的2500萬美元融資。
